Archiwum

Projekty celowe

Temat Prowadzący Termin realizacji Zakład
Opracowanie technologii krystalizacji i obróbki CaF2 i BaF2. "SOLARIS" dr Z Łuczyński 24.04.24-31.07.93 Z-18
Opracowanie technologii monokrystalizacji YAG i LiNBO3 o jakości optycznej "SOLARIS" dr Z Łuczyński 24.04.92-31.07.93 Z-18
Opracowanie technologii światłowodowych płytek włóknistych do elektronicznych wzmacniaczy obrazu EWO-3 i EWO-4 dr R.Stępień 01.01.91-31-07.93 Z-10
Dwustandardowy filtr z AFP dla toru p.cz. OTV, typ FT-389 prof. W.Soluch 01.09.92-31.08.93 Z-21
Opracowanie kompozytowych materiałów stykowych na styki wyłączników małoolejowych i wyłaczników z atmosferą SF6. inż. K.Kaliszuk 01.11.92-30.09.95 Z-3
Filtry radiokomunikacyjne z AFP o cz.śr. 70 MHz do zastosowań w cyfrowych liniach radiowych. dr P.Nagłowski 01.05.93-31.12.94 Z-21
Monokrystaliczny kwarc wysokiej jakości do przyrządów z objętościową i powierzchniową falą akustyczną. mgr W.Hofman 01.05.93-30.04.96 Z-3
Uruchomienie produkcji zmodernizowanych komór próżniowych z krajowymi nakładkami stykowymi do styczników średniego napięcia (7,2kV) typu HSV7M. inż. K.Kaliszuk 01.12.93-30.11.94 Z-3
Małoseryjna produkcja monokryształów i płytek podłozowych GaAs:Si o srednicy 51 mm i 76 mm. dr A.Hruban 15.12.93-15.12.94 Z-6
Opracowanie technologii wytwarzania płytek krzemowych z grubą warstwą epitaksjalną. dr E. Nossarzewska 01.03.94-31.03.95 Z-14
Uruchomienie ulepszonej technologii wytwarzania monokryształów Si metodą Czochralskiego o oporności do 90 ohcm i płytek z tego materiału. mgr inż. P.Zabierowski 01.06.94-30.06.95 Z-5
Neutralizacja toksycznych gazów i ścieków powstających przy produkcji materiałów elektronicznych z zastosowaniem strącania frakcyjnego i absorbcji z reakcją chemiczną. dr E.Najdeker 31.12.96 Z-8
Proszek srebra do past elektronicznych dr S.Achmatowicz 15.10.94-15.10.95 Z-16
Opracowanie i wdrożenie komór próżniowych VK-630 i VK-800 z krajowymi nakładkami stykowymi. (ZAŁ.) inż. K.Kaliszuk 01.09.94-31.01.96 Z-3
Modernizacja rozrusznika tramwajowego GBT. (WOLTAN) inż. K.Kaliszuk 01.09.94-31.01.96 Z-3
Opracowanie technologii produkcji płytek krzemowych o średnicy 4" z warstwą epitaksjalną. (SILICON) dr E.Nossarzewska 31.12.96
Uruchomienie produkcji obudów do diod i tyrystorów mocy z wykorzystaniem technologii bezpośredniego spajania ceramiki z metalem lutem aktywnym AgCuTi. (CEMAT). dr W.Olesińska 01.04.96-30.09.97 Z-4
Uruchomienie produkcji materiału kompozytowego na elektrody do drążenia elektroerozyjnego w węglikach spiekanych. inż. K.Kaliszuk 01.08.96-31.08.98 Z-3
Dwustandardowy, jedno wierzchołkowy filtr telewizyjny z AFP do quasinorównoległego odbioru fonii, typ. FTQF-3801 mgr E.Dąbrowska 01.06.96-30.04.97 Z-21
Monokrystaliczne bezzarodziowe podłoża kwarcowe o średnicy 100 mm do przyrządów z falą powierzchniową. mgr E.Abgarowicz 01.01.97-30.04.98 Z-18
Opracowanie i uruchomienie produkcji próżniowych komór gaszeniowych PKG 1,5/160, PKG 1,5/500 i PKG 6,0/400 z krajowymi nakładkami stykowymi. (ZAPEX) mgr K.Frydman 01.12.97-28/02.99 Z-3
Opracowanie filtrów telewizyjnych z AFP zgodnych z wymaganiami dużych producentów odbiorników telewizyjnych. mgr E. Dabrowska 01.12.97-31.03.99 Z-21
Technologia wzrostu monokryształów krzemu o średniczach 3-5 w donorowym typie przewodnictwa o opornościach <,,,,,,,,,,,,,0,00r Omocm. (CEMAT_SILICON) dr A.Bukowski 01.04.98-30.04.99 Z-5
Monokryształy fosforku galu dla wysokowydajnych przyrządów optoelektronicznych. dr A.Hruban 01.01.99-30.06.2000 Z-6
Opracowanie i wdrożenie technologii galwanicznego złocenia elementów aluminiowych. dr E.Najdeker 01.01.99-30.11.2000 Z-8
Heterostruktury epitaksjalne InGaAs/InGaAs/InP dla super szybkich tranzystorów HEMT. dr W.Strupiński 01.04.99-30.09.2000 Z-15
Opracowanie i wdrożenie aplikatorów światłowodowych do chirurgicznych koagulatorów fotonowych. dr R.Stępień 01.07.99-31.08.2000 Z-10
Opracowanie i wdrożenie do produkcji nowej generacji grubowarstwowych mikroukładów hybrydowych i elementów grzejnych na bazie zmodyfikowanych past palladowo-srebrowych. (HYBRES) dr S.Achmatowicz 31.11.99-31.01.2001 Z-16
Płytki podłożowe z szafiru dla optoelektroniki. prof. T.Łukasiewicz 21.01.00-31.05.2001 Z-18
Filtry zaporowe z przetwornikami na akustycznych falach powierzchniowych inż. T.Wróbel 01.07.00-28.02.02 Z-21
Opracowanie i wdrożenie technologii wykonywania metalowych szablonów stosowanych w montażu powierzchniowym układów elektronicznych. mgr S.Cendrowski 01.07.00-15.12.01 Z-8

Projekty zamawiane z MNiSW

Temat Prowadzący Termin realizacji
Elementy i moduły optoelektroniczne do zastosowań w medycynie, przemyśle, ochronie środowiska i technice wojskowej. prof. dr hab. inż. Z.Jankiewicz 01.07.04-31.12.07
Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur. prof. dr hab. J.Szmidt 02.04.07-01.04.10
Projektowanie, wytwarzanie, struktura, właściwości i zastosowanie metalicznych i ceramicznych materiałów magneostrykcyjnych. prof. dr hab. M.Kopcewicz 19.12.05-31.10.08
Technologie MOCVD heterostruktur GaInAsSb/AlGaAs i lasery na pasmo 2um-3um. dr M.Wesołowski 18.12.07-17.12.10