Archiwum

Projekty celowe

Temat	Prowadzący	Termin realizacji	Zakład
Opracowanie technologii krystalizacji i obróbki CaF2 i BaF2. "SOLARIS"	dr Z Łuczyński	24.04.24-31.07.93	Z-18
Opracowanie technologii monokrystalizacji YAG i LiNBO3 o jakości optycznej "SOLARIS"	dr Z Łuczyński	24.04.92-31.07.93	Z-18
Opracowanie technologii światłowodowych płytek włóknistych do elektronicznych wzmacniaczy obrazu EWO-3 i EWO-4	dr R.Stępień	01.01.91-31-07.93	Z-10
Dwustandardowy filtr z AFP dla toru p.cz. OTV, typ FT-389	prof. W.Soluch	01.09.92-31.08.93	Z-21
Opracowanie kompozytowych materiałów stykowych na styki wyłączników małoolejowych i wyłaczników z atmosferą SF6.	inż. K.Kaliszuk	01.11.92-30.09.95	Z-3
Filtry radiokomunikacyjne z AFP o cz.śr. 70 MHz do zastosowań w cyfrowych liniach radiowych.	dr P.Nagłowski	01.05.93-31.12.94	Z-21
Monokrystaliczny kwarc wysokiej jakości do przyrządów z objętościową i powierzchniową falą akustyczną.	mgr W.Hofman	01.05.93-30.04.96	Z-3
Uruchomienie produkcji zmodernizowanych komór próżniowych z krajowymi nakładkami stykowymi do styczników średniego napięcia (7,2kV) typu HSV7M.	inż. K.Kaliszuk	01.12.93-30.11.94	Z-3
Małoseryjna produkcja monokryształów i płytek podłozowych GaAs:Si o srednicy 51 mm i 76 mm.	dr A.Hruban	15.12.93-15.12.94	Z-6
Opracowanie technologii wytwarzania płytek krzemowych z grubą warstwą epitaksjalną.	dr E. Nossarzewska	01.03.94-31.03.95	Z-14
Uruchomienie ulepszonej technologii wytwarzania monokryształów Si metodą Czochralskiego o oporności do 90 ohcm i płytek z tego materiału.	mgr inż. P.Zabierowski	01.06.94-30.06.95	Z-5
Neutralizacja toksycznych gazów i ścieków powstających przy produkcji materiałów elektronicznych z zastosowaniem strącania frakcyjnego i absorbcji z reakcją chemiczną.	dr E.Najdeker	31.12.96	Z-8
Proszek srebra do past elektronicznych	dr S.Achmatowicz	15.10.94-15.10.95	Z-16
Opracowanie i wdrożenie komór próżniowych VK-630 i VK-800 z krajowymi nakładkami stykowymi. (ZAŁ.)	inż. K.Kaliszuk	01.09.94-31.01.96	Z-3
Modernizacja rozrusznika tramwajowego GBT.  (WOLTAN)	inż. K.Kaliszuk	01.09.94-31.01.96	Z-3
Opracowanie technologii produkcji płytek krzemowych o średnicy 4" z warstwą epitaksjalną.  (SILICON)	dr E.Nossarzewska	31.12.96
Uruchomienie produkcji obudów do diod i tyrystorów mocy z wykorzystaniem technologii bezpośredniego spajania ceramiki z metalem lutem aktywnym AgCuTi.  (CEMAT).	dr W.Olesińska	01.04.96-30.09.97	Z-4
Uruchomienie produkcji materiału kompozytowego na elektrody do drążenia elektroerozyjnego w węglikach spiekanych.	inż. K.Kaliszuk	01.08.96-31.08.98	Z-3
Dwustandardowy, jedno wierzchołkowy filtr telewizyjny z AFP do quasinorównoległego odbioru fonii, typ. FTQF-3801	mgr E.Dąbrowska	01.06.96-30.04.97	Z-21
Monokrystaliczne bezzarodziowe podłoża kwarcowe o średnicy 100 mm do przyrządów z falą powierzchniową.	mgr E.Abgarowicz	01.01.97-30.04.98	Z-18
Opracowanie i uruchomienie produkcji próżniowych komór gaszeniowych PKG 1,5/160, PKG 1,5/500 i PKG 6,0/400 z krajowymi nakładkami stykowymi.  (ZAPEX)	mgr K.Frydman	01.12.97-28/02.99	Z-3
Opracowanie filtrów telewizyjnych z AFP zgodnych z wymaganiami dużych producentów odbiorników telewizyjnych.	mgr E. Dabrowska	01.12.97-31.03.99	Z-21
Technologia wzrostu monokryształów krzemu o średniczach 3-5 w donorowym typie przewodnictwa o opornościach <,,,,,,,,,,,,,0,00r Omocm.  (CEMAT_SILICON)	dr A.Bukowski	01.04.98-30.04.99	Z-5
Monokryształy fosforku galu dla wysokowydajnych przyrządów optoelektronicznych.	dr A.Hruban	01.01.99-30.06.2000	Z-6
Opracowanie i wdrożenie technologii galwanicznego złocenia elementów aluminiowych.	dr E.Najdeker	01.01.99-30.11.2000	Z-8
Heterostruktury epitaksjalne InGaAs/InGaAs/InP dla super szybkich tranzystorów HEMT.	dr W.Strupiński	01.04.99-30.09.2000	Z-15
Opracowanie i wdrożenie aplikatorów światłowodowych do chirurgicznych koagulatorów fotonowych.	dr R.Stępień	01.07.99-31.08.2000	Z-10
Opracowanie i wdrożenie do produkcji nowej generacji grubowarstwowych mikroukładów hybrydowych i elementów grzejnych na bazie zmodyfikowanych past palladowo-srebrowych.  (HYBRES)	dr S.Achmatowicz	31.11.99-31.01.2001	Z-16
Płytki podłożowe z szafiru dla optoelektroniki.	prof. T.Łukasiewicz	21.01.00-31.05.2001	Z-18
Filtry zaporowe z przetwornikami na akustycznych falach powierzchniowych	inż. T.Wróbel	01.07.00-28.02.02	Z-21
Opracowanie i wdrożenie technologii wykonywania metalowych szablonów stosowanych w montażu powierzchniowym układów elektronicznych.	mgr S.Cendrowski	01.07.00-15.12.01	Z-8

Projekty zamawiane z MNiSW

Temat	Prowadzący	Termin realizacji
Elementy i moduły optoelektroniczne  do zastosowań w medycynie, przemyśle, ochronie środowiska i technice wojskowej.	prof. dr hab. inż. Z.Jankiewicz	01.07.04-31.12.07
Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur.	prof. dr hab. J.Szmidt	02.04.07-01.04.10
Projektowanie, wytwarzanie, struktura, właściwości i zastosowanie metalicznych i ceramicznych materiałów magneostrykcyjnych.	prof. dr hab. M.Kopcewicz	19.12.05-31.10.08
Technologie MOCVD heterostruktur GaInAsSb/AlGaAs i lasery na pasmo 2um-3um.	dr M.Wesołowski	18.12.07-17.12.10