Zakład Epitaksji i Charakteryzacji

Zakład Epitaksji i Charakteryzacji

Zakład Epitaksji i Charakteryzacji jest jednym z przodujących zakładów ITME, w którym prowadzi się prace związane ze wzrostem struktur epitaksjalnych stosowanych w przemyśle elektronicznym. Działalność zakładu koncentruje się na badaniach nad epitaksjalnymi strukturami związków półprzewodnikowych III-V i IV-IV dla zastosowań elektronicznych oraz wysokiej jakości grafenu na SiC, Ge, podłożach metalicznych oraz nad transferem technologii do przemysłu. W zespole jest 25 specjalistów, w tym naukowcy z tytułami profesora i doktora, doktoranci i technolodzy z ogromnym doświadczeniem w dziedzinach fizyki półprzewodników, epitaksji związków półprzewodnikowych i ich charakteryzacji. Członkowie zespołu aktywnie uczestniczą w wielu programach badawczych, a uzyskiwane rezultaty są wykorzystywane z sukcesem w technologii wytwarzania materiałów i przyrządów półprzewodnikowych. Zakład Epitaksji i Charakteryzacji ściśle współpracuje ze spółką typu spin-off, ENT SA, której zadaniem jest komercjalizacja osiągnięć badawczych uzyskiwanych w ITME przez produkcję płytek epitaksjalnych.

Zakład jest wyposażony w aparaturę do charakteryzacji materiałów półprzewodnikowych, grafenu i nowych materiałów 2D następującymi metodami: mikroskopia optyczna, optyczna profilometria, mikroskopia elektronowa, mikroskopia sił atomowych, fotoluminescencja, elipsometria, spektroskopia Ramana, spektroskopia masowa jonów wtórnych, efekt Halla, metoda napięciowo-pojemnościowa, pomiary mikrofalowe, spektroskopia fotoelektronów. Naukowcy z tego zakładu współpracują z wieloma czołowymi ośrodkami badawczymi i akademickimi w kraju i za granicą w obszarze fizyki ciała stałego, technologii elektronowej, elektroniki i inżynierii materiałowej.

Oferta

Zakład wytwarza struktury epitaksjalne związków półprzewodnikowych A3B5 pochodnych InP, GaAs, GaN oraz grupy IV - SiC. Oferowane płytki epitaksjalne o średnicy 2" i 3", a w przypadku SiC - 4" obejmują praktycznie wszystkie zastosowania nowoczesnej elektroniki - lasery półprzewodnikowe, w tym lasery z pionową wnęką rezonansową (VCSELs), kwantowe lasery kaskadowe (QCLs), fotodetektory w szerokim zakresie spektralnym, diody elektroluminescencyjne, tranzystory polowe i tranzystory z dwu-wymiarowym gazem elektronowym, wzmacniacze optyczne, diody Schottky i wiele innych. Wzrost epitaksjalny związków półprzewodnikowych dwu-, trój-, cztero- i pięcio-składnikowych realizowany jest metodą epitaksji MOCVD przy wykorzystaniu profesjonalnych urządzeń technologicznych. Zakład dysponuje także technologią CVD wytwarzania wielkoformatowego grafenu - dwu-wymiarowej formy węgla na różnych podłożach (miedź, węglik krzemu, nikiel, german, itp), a także technologią pokrywania grafenem podłoży obcych. Wyposażenie zakładu uzupełniają nowoczesne urządzenia do charakteryzacji materiałów metodami: SEM, XPS, PL, Hall, C-V, X-ray i inne. Zakład, o potwierdzonej od lat renomie, dostarcza swoje produkty do znanych firm elektronicznych i ośrodków akademickich na całym świecie.

Osiągnięcia

Zakład realizuje ponad dziesięć projektów badawczych, w tym cztery europejskie i jeden międzynarodowy. Jest uczestnikiem największego programu finansowanego przez Komisję Europejską – Graphene Flagship. Od wielu lat, skutecznie realizuje własny program transferu rezultatów badawczych do produkcji komercyjnej. Współpracuje z wieloma ośrodkami naukowymi i przemysłowymi na całym świecie. Naukowcy z tego zakładu mają w swoim dorobku kilkaset publikacji naukowych w zagranicznych czasopismach, wiele wystąpień konferencyjnych i kilka patentów oraz szereg nagród, w tym nagrodę Prezesa Rady Ministrów za wybitne osiągnięcia naukowo-techniczne, nagrodę Prestiż czy I nagrodę im. Jana Wejcherta w kategorii Wizja i Innowacja.

Kontakt

dr inż. Włodzimierz Strupiński
Kierownik Zakładu
(+48 22) 639 58 36
wlodzimierz.strupinski@itme.edu.pl