Zakład Zastosowań Materiałów AIIIBV

Zakład Zastosowań Materiałów AIIIBV

Zakład opracowuje technologię przyrządów półprzewodnikowych na podłożach monokrystalicznych i warstwach epitaksjalnych wytwarzanych w ITME. Oferuje detektory UV (oparte na diodach Schottky’ego GaN/AlGaN oraz diodach pin), maski chromowe o bardzo wysokiej precyzji oraz dyfrakcyjne elementy optyczne w zakresie promieniowania UV - widzialnego, podczerwonego i terahercowego.
W ramach zakładu funkcjonuje Laboratorium Masek, posiadające wieloletnie doświadczeniem w wytwarzaniu zaawansowanych masek do fotolitografii oraz w bezpośredniej generacji wzorów z rozdzielczością poniżej 1 µm. Dzięki projektowi Centrum Mikro- i Nanotechnologii MINOS realizowanemu w latach 2011–2014 laboratorium wyposażono w elektronolitograf Vistec SB251. Jest to profesjonalne urządzenie umożliwiające generację wysokorozdzielczych (poniżej 50 nm) wzorów na dużej powierzchni (20cm x 20cm) z siatką adresowania 1 nm.

Fotolitografia i technologia przyrządów półprzewodnikowych

Zakład oferuje produkty i technologie półprzewodnikowe:

  • technologia tranzystora MESFET na GaAs, wykorzystująca bezpośrednią implantację jonów do kryształu półizolacyjnego,
  • układy scalone na GaAs w układach BFL,
  • detektory promieniowania X, α i γ (GaAs),
  • tranzystory HEMT oraz rezonansowe diody tunelowe (RTD) z GaAs/InGaAs/AlGaAs, 
  • tranzystory HEMT oraz rezonansowe diody tunelowe (RTD) z InP/InGaAs/InAlAs,
  • bolometry i elementy termoczułe wykonane metodą mikromechaniki krzemowej,
  • detektory UV oparte na diodach Schottky’ego GaN/AlGaN oraz diodach p-i-n,
  • tranzystory HEMT z GaN/AlGaN,
  • wysokonapięciowe diody Schottky’ego na SiC,
  • technologię wytwarzania laserów SCH (separate confinement heterostructure).

Elektronolitografia i nanoimprint

Laboratorium Masek oferuje:
• BEZPOŚREDNIĄ GENERACJĘ WZORÓW E-BEAM na płytkach półprzewodnikowych oraz optycznych (np. Si, Ge, GaAs, InP, SiC, kwarc),
rozmiary podłoży od Ø 50 mm do Ø 150 mm (SEMI Standard), dokładność centrowania < 15 nm;
• MASKI CHROMOWE dla fotolitografii kontaktowej oraz projekcyjnej;
rozmiary podłoży od 4” x 4” do 7” x 7”, siatka adresowania 1 nm, dokładność pasowania maski do maski < 5 nm;
• DYFRAKCYJNE ELEMENTY OPTYCZNE o profilu binarnym i wielopoziomowym, m.in:
o dyfrakcyjne mikrosoczewki i macierze mikrosoczewek (sferyczne, cylindryczne, eliptyczne itd.),
o elementy kształtujące i koncentrujące wiązki laserowe (również dla diod paskowych),
o siatki dyfrakcyjne, kinoformowe filtry próbkujące,
o hologramy.
• MASKI FAZOWE DLA ŚWIATŁOWODOWYCH SIATEK BRAGGA
o binarne i apodyzowane wielopoziomowe maski na podłożu kwarcowym.
• WZORCE I STEMPLE ROBOCZE do procesów NANO IMPRINT
rozmiary podłoży od Ø 50 mm do Ø 100 mm, min. szerokość linii (rozdzielczość) 50 nm.
• LITOGRAFIA UV NANO IMPRINT na płytkach półprzewodnikowych, szklanych i polimerowych,
technologia: kopiowanie wzoru w rezystach utwardzanych promieniowaniem UV, obustronne centrowanie wzoru, rozdzielczość 50 nm, rozmiary podłoży od Ø 50 mm do Ø 100 mm.
• LITOGRAFIA HOT EMBOSSING NANO IMPRINT do powielania struktur binarnych oraz 3D,
technologia: kopiowanie struktur w warstwie rezystu termoutwardzalnego lub w termoplastycznym podłożu polimerowym, rozdzielczość 50 nm, rozmiary podłoży od Ø 50 mm do Ø 100 mm.

Kontakt

p.o. Kierownika Zakładu
mgr inż. Tymoteusz Ciuk
+ 48 (22) 639-59-41
tymoteusz.ciuk@itme.edu.pl
+48 (22) 639-58-17
andrzej.kowalik@itme.edu.pl