INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH

Itme

 

Wyszukaj

Wyszukiwarka
 
Znajdujesz się na: Strona główna > O instytucie > O nas

O nas

    ITME jest wiodącym polskim Instytutem prowadzącym wielokierunkowe prace nad opracowaniem nowych materiałów, badaniem ich właściwości i możliwości wykorzystania w podzespołach do zastosowań w elektronice, optoelektronice, mikromechanice, metrologii i w innych dziedzinach nauki i gospodarki.

Materiały:

Nanomateriały

Materialy nowej generacji:
  • grafen [ITME jest jednym z niewielu na świecie ośrodków, które potrafią wytwarzać grafen. ITME wcześniej ściśle współdziałało i nadal współpracuje z lauretami nagrody Nobla za grafen z 2010 r.],
  • materiały samoorganizujące się,
  • metamateriały,
  • kryształy fotoniczne.
Materiały dla optoelektroniki:
  • związki półprzewodnikowe III/V (GaAs, InP, InAs, GaP) płytki, struktury epitaksjalne,
  • kryształy tlenkowe – materiały na: lasery, pasywne modulatory dobroci, scyntylatory, przyrządy elektrooptyczne i piezoelektryczne, podłoża na warstwy nadprzewodzące HTSc, materiały nieliniowe i optoelektroniczne,
  • struktury epitaksjalne na GaN,
  • szkła ze specjalnie projektowanymi charakterystykami spektralnymi,
  • nowe ceramiki, ceramiki przeźroczyste i aktywne.
Materiały dla elektroniki:
  • monokryształy krzemu (płytki Si, standardowe, o specjalnych własnosciach, super cienkie, super grube, płytki o nietypowych orientacjach, precyzyjnie zorientowane) o średnicy do 6 cali,  
  • warstwy epitaksjalne na krzemie, krzem porowaty, warstwy epitaksjalne na krzemie porowatym, płytki Si zgrzewane, SOI’s,  
  • płytki i warstwy epitaksialne SiC.
Inne materiały funkcjonalne:
  • kompozyty metalowo-ceramiczne, złącza ceramika-metal
  • pasty do mikroukładów hybrydowych,
  • super czyste metale.
 Wiele naszych kryształów jest wytwarzanych metodą wynalezioną przez wybitnego polskiego uczonego i praktyka Profesora Jana Czochralskiego. W ITME istnieje laboratorium badawczo-wytwórcze kryształów nazwane Jego imieniem.
 
Podzespoły:

 W naszych laboratoriach powstało wiele nowatorskich rozwiązań podzespołów elektronicznych z wytworzonych przez nas materiałów, jak na przykład:
  • światłowody /aktywne i fotoniczne/, filtry, soczewki dyfrakcyjne, dwuwymiarowe mikrostruktury fotoniczne,
  • elementy bierne na membranach (sensory),
  • filtry, rezonatory, sensory i aktuatory z AFP,
  • przyrządy półprzewodnikowe (lasery, tranzystory, fotodetektory, diody Schottky’ego)
  • lasery ciała stałego, mikrolasery.
Wytwarzanie ich było i jest możliwe, ponieważ Instytut dysponuje nowoczesnymi urządzeniami, które umożliwiają:
  • projektowanie i wytwarzanie masek
  • nanoszenie warstw cienkich: dielektrycznych (SiO2, Si3N4, AlN) metalizacja wielowarstwowa
  • litografia: kopiowanie kontaktowe w głębokim UV, generacja wzoru wiązką elektronów
  • wytrawianie (RIE i ICP RIE), kontrolowane trawienie ścianek bocznych w głąb, trawienie profili o głębokości do dziesiątków mikrometrów.
   

Badania materiałów i podzespołów:

 ITME posiada nowoczesną aparaturę umożliwiającą charakteryzację materiałów i podzespołów. Opracowujemy metody badawczo-pomiarowe i świadczymy rożnego rodzaju usługi dla jednostek naukowo-badawczych i przemysłu.
   Specjalizujemy się w analizach składu, badaniach struktur materiałów i stanów ich powierzchni oraz ich właściwości optycznych, elektrycznych, magnetycznych, mechanicznych i termicznych , ze szczególnym uwzględnieniem ich cech użytkowych dla elektroniki.

Charakteryzacja materiałów jest prowadzona metodami, w tym między innymi:
  • klasycznej analizy chemicznej oraz spektralnymi technikami instrumentalnymi (ICP-AES, UV-VIS, FAAS i GFAAS);
  • spektroskopii mössbauerowskiej /metodą konwencjonalną, elektronów konwersji (CEMS) i promieniowania X (CXMS) oraz opracowaną w ITME, unikalną w skali światowej, metodą "rf‑Mössbauer"/;
  • rentgenowskiej dyfraktometrii proszkowej, metodą Rietvelda, wysokorozdzielczej dyfraktometrii rentgenowskiej (HRXRD), reflektometrii rentgenowskiej (XRR), rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej;
  • skaningowej mikroskopii elektronowej (SEM) i z zastosowaniu promieniowania synchrotronowego;
  • termicznymi klasycznymi /mikroskopia wysokotemperaturowa, DTG, DTA, dylatometria, itd./ oraz rentgenowskimi;
  • mechanicznymi /wytrzymałościowe, tarciowych, badania twardości, itd./;
  • optycznymi /mikroskopia, refraktometria/.
Wykonujemy badania przyrządów optoelektronicznych, mikroelektronicznych i piezoelektrycznych. Posiadamy specjalistyczną aparaturę do charakteryzacji podzespołów, między innymi:
  • pomiary I-V, C-V;
  • pomiary impedancji i elementów macierzy rozproszonej do częstotliwości 20 GHz;
  • pomiary poziomów szumów;
  • badania parametrów użytkowych laserów i fotodetektorów.
   
Instytut współpracuje z wieloma krajowymi i zagranicznymi uczelniami, instytutami, centrami badawczo-rozwojowymi oraz znaczącymi przedstawicielami przemysłu elektronicznego na świecie. Rezultaty naszych prac są wdrażane do przemysłu lub wykorzystywane we własnej małoseryjnej produkcji.
   Listę wybranych publikacji, opracowań badawczo-rozwojowych i wdrożeń tylko z kilku ostatnich lat przedstawiamy na stronach internetowych poszczególnych  naszych zakładów. W celu uzyskania szerszych i bardziej precyzyjnych informacji na interesujące tematy zapraszamy do bezpośrednich kontaktów z naszymi specjalistami. 

 

ITME posiada prawo nadawania stopnia naukowego doktora w dziedzinie nauk technicznych, w dyscyplinie inżynieria materiałowa.

 

Równolegle do prowadzonych prac badawczo-technologicznych Instytut kształci młodą kadrę techniczną. Organizujemy wykłady i zajęcia laboratoryjne, praktyki i staże zawodowe, wycieczki i pokazy urządzeń technologicznych dla studentów i uczniów.

 tl_files/Oferta-Katalogi ogolne/Logo ITME.JPG
W drugim dziesięcioleciu XXI wieku Instytut będzie szczególną uwagę przywiązywał do:

♦ badań nanomateriałów i materiałów nowej generacji pod kątem ich praktycznych zastosowań w gospodarce.

♦ nowych technologii dla energetyki związanych z:
     - oszczędnością energii /rozpowszechnienie SiC/,
     - alternatywnymi źródłami energii /fotowoltanika, techniki jądrowe, gaz łupkowy/,
     - magazynowaniem energii /baterie litowe/.

♦ innowacyjnych przyrządów i urządzeń /lasery ciała stałego, półprzewodnikowe lasery i diody/ opracowywanych i wytwarzanych na bazie własnych materiałów.
Drukuj
 
 
 
 

© 2010 Institute of Electronic MaterialsTechnology. All rights reserved.

Agencja interaktywna Migomedia